Φ6.5mm×8.9mm半导体锗单晶圆片电阻率的测定

• 作者: 闫洪
• 来源期刊: 电子质量
• 关键词: 锗单晶圆片 四探针法 电阻率 不均匀性
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 可靠性分析与研究
• 页码范围: 50-52
• 页数: 3页
• 分类号: TM304.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0107.2007.10.016

摘要

利用四探针技术对Φ6.5mm×8.9mm的半导体锗单晶圆片的电阻率进行测定,并采用了A、B、C等三种选点方案,结果表明:方案B用少量的测试点就能测定和计算出锗单晶的电阻率和不均匀性,它不仅反映出材料的真实性和保证其可靠性,而且简化了试验程序.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫洪		51	314	7.0	17.0