Si3N4陶瓷的烧结及其显微结构

• 作者: 尚福亮 韩海涛 高玲
• 来源期刊: 硬质合金
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅 烧结 显微结构
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 材料工艺
• 页码范围: 88-90,102
• 页数: 4页
• 分类号: TG1
• 字数: 1605字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-7292.2007.02.006

摘要

本文主要研究了Si3N4-MgO-CeO2系陶瓷的常压烧结及其显微结构.MgO和CeO2的组合是Si3N4陶瓷的有效烧结助剂.常压烧结Si3N4-MgO-CeO2陶瓷,最佳成分为Si3N4+5%MgO+5%CeO2,在1800℃保温60min烧结后,其最大相对密度为98.5%,抗弯强度为950MPa.利用XRD、TEM和EDAX分析,确定了烧结Si3N4-MgO-CeO2系陶瓷中玻璃相的主要成分为铈硅酸盐,几乎不含MgO.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高玲	深圳大学材料学院深圳市特种功能材料重点实验室	10	105	5.0	10.0
2	尚福亮	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	21	331	8.0	18.0
3	韩海涛	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	11	175	6.0	11.0