中频反应磁控溅射制备AlN薄膜的工艺研究

• 作者: 佟洪波 巴德纯 闻立时
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝 中频反应溅射 沉积速率 光学性能
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 332-335
• 页数: 4页
• 分类号: TB43
• 字数: 2536字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2007.04.014

摘要

利用中频反应磁控溅射成功制备了AlN薄膜.研究了过程参数例如靶电流、溅射气压和氮浓度对AlN薄膜沉积速率和光学性能的影响规律.实验结果表明,在优化制备工艺的基础上,能够制备出具有优良光学性能(高折射率、低消光系数、高透射率)的AlN薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	巴德纯	东北大学机械工程与自动化学院	250	1491	18.0	22.0
2	闻立时	中国科学院金属研究所	117	1859	24.0	36.0
3	佟洪波	东北大学机械工程与自动化学院	10	75	6.0	8.0