快速退火炉离子注入退火工艺设计

• 作者: 文利群 曾云 杨红官 许诚
• 来源期刊: 湖南大学学报（自然科学版）
• 关键词: 快速热退火 离子注入 硅片
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 56-59
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-2472.2007.01.013

摘要

研究了快速热处理系统中卤钨灯阵列的排列方式和硅片接受到的辐照度均匀性的关系, 设计了一种可以满足硅片温度均匀性要求的轴对称排列的灯阵列形式. 卤钨灯分布在三个半径分别为5,10,16.8 cm的同心圆上, 线密度分别为0.127,0.191,0.341 cm-1, 加热头高度为10.2 cm. 此时辐照度的标准差有最小值, 保证了硅片边缘和硅片中心能够得到尽可能一致的辐照. 接着进行了P离子注入快速热退火试验, 测量比较了退火后样品的方块电阻值, 获得了快速热退火的最佳温度时间关系参数. 对于剂量7.0×1015 cm-2, 能量60 keV的P离子注入, 快速热退火的最佳温度为1000 °C, 稳定10 s.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾云	湖南大学应用物理系	102	899	13.0	27.0
2	杨红官	湖南大学应用物理系	28	95	6.0	7.0
3	文利群	湖南大学应用物理系	3	8	2.0	2.0
4	许诚	湖南大学应用物理系	1	6	1.0	1.0