6H-SiC衬底片的表面处理

• 作者: 姜守振 宁丽娜 徐现刚 李娟 杨光 王英民 胡小波 蒋民华 陈秀芳
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 6H-SiC 衬底 表面处理 研磨 化学机械抛光
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 页码范围: 962-966
• 页数: 5页
• 分类号: O786
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.05.003

摘要

相比于蓝宝石,6H-SiC是制作GaN高功率器件更有前途的衬底.本文研究了表面处理如研磨、化学机械抛光对6H-SiC衬底表面特性的影响.用显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、卢瑟福背散射谱表征了衬底表面.结果表明经过两步化学机械抛光后提高了表面质量.经第二步化学机械抛光后的衬底具有优异的表面形貌、高透射率和极小的损伤层,其表面粗糙度RMS是0.12nm.在该衬底上用MOCVD方法长出了高质量的GaN外延膜.