掺杂对锗纳米晶薄膜电输运的影响

• 作者: 何捷 卢铁城 张盛华 敦少博 胡强 赵建君
• 来源期刊: 汕头大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 锗纳米晶 中子嬗变掺杂 电输运
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 47-52
• 页数: 6页
• 分类号: O484.3
• 字数: 2647字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4217.2007.02.010

摘要

利用离子注入然后退火的方法制备镶嵌有锗纳米晶的二氧化硅复合膜,再利用中子嬗变方法,对镶嵌有锗纳米晶的二氧化硅复合膜进行精确均匀掺杂,用激光拉曼散射测量表征锗纳米晶的存在,测量嬗变掺杂前后样品的,I-U曲线和InR-1/T曲线.结果表明:掺杂样品未退火时电阻极大,退火后电阻明显减小,但比未掺杂时大;其它条件相同时,锗的注入量越大,纳米晶层的电阻越小;在掺杂样品的低温,I-U曲线中发现台阶.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡强	四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室	16	94	7.0	9.0
2	何捷	四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室	48	382	11.0	17.0
3	卢铁城	四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室	71	351	9.0	14.0
4	张盛华	桂林医学院物理教研室	18	17	2.0	2.0
8	敦少博	四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0
9	赵建君	四川大学物理系辐射物理及技术教育部重点实验室	4	5	1.0	2.0