1.8 GHz CMOS高效率E类功率放大器

• 作者: 刘章发 杜春山 陈常勇
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: E类功率放大器 高效率 开关功率放大器
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与开发
• 页码范围: 703-706
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.75
• 字数: 2266字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.08.016

摘要

电子产品的低功耗设计已成为研究的热点,低功耗、高效率功率放大器已成为降低系统功耗的关键所在.E类功率放大器是一种开关模式的功率放大器,理论上可以达到100%的漏极效率,具有广泛的应用前景.论述了用标准CMOS工艺实现高效率E类功率放大器所面临的诸多挑战以及一些相应的解决措施,并以0.18μm CMOS工艺设计了包含驱动级的两级结构的E类功率放大器.Spectre仿真结果表明,所设计的功率放大器在+25.5 dBm的输出功率时,具有52.8%的功率附加效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜春山	北京交通大学电子工程系	2	19	2.0	2.0
2	陈常勇	北京交通大学电子工程系	1	9	1.0	1.0
3	刘章发	北京交通大学电子工程系	19	67	5.0	7.0