少子寿命和表面形貌与多孔硅发光性能的关系

• 作者: 李东升 杨德仁 桑文斌 蒋民华 赵岳 赵杰
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多孔硅 少子寿命 表面形貌 光致发光性能
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 131-134
• 页数: 4页
• 分类号: O482.31
• 字数: 1889字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2007.01.026

摘要

研究了不同时间腐蚀的多孔硅的光致发光性能与多孔硅的表面形貌和少子寿命之间的关系.结果表明,多孔硅的发光来自与氧空位有关的缺陷,而多孔硅表面的氢原子能够钝化多孔硅表面的非辐射中心从而提高多孔硅的发光效率.多孔硅的空隙度随腐蚀时间的延长而增大,这也导致了多孔硅的少子寿命的降低,从而造成多孔硅的光致发光效率随多孔硅空隙度的增大以及少子寿命的降低而提高.另外,原子力显微照片表明长时间的腐蚀使多孔硅表面层被化学腐蚀,从而降低了多孔硅表面的粗糙度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	桑文斌	上海大学材料科学与工程学院	53	535	15.0	20.0
2	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
3	蒋民华	浙江大学硅材料国家重点实验室	109	811	14.0	23.0
5	李东升	浙江大学硅材料国家重点实验室	36	130	6.0	10.0
6	赵岳	上海大学材料科学与工程学院	10	12	2.0	3.0