脉冲激光沉积法Li-N双受主共掺p型ZnO薄膜的生长及其特性

• 作者: 何海平 叶志镇 吕建国 张银珠 赵炳辉 顾修全
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Li-N双受主共掺杂 p-ZnO 脉冲激光沉积
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 322-325
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 1811字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.081

摘要

采用脉冲激光沉积技术制备了Li-N双受主共掺杂p型ZnO薄膜,其中Li来自Li掺杂ZnO陶瓷靶,N来自N2O生长气氛.室温Hall测试发现Li-N共掺p型ZnO薄膜的最低电阻率为3.99Ω·cm,迁移率为0.17cm2/(V·s),空穴浓度为9.12×1018cm-3.PL谱测试发现了与Li受主和N受主态相关的发光峰,其受主能级分别约为120和222meV.由p-ZnO:(Li,N)薄膜制备的ZnO同质p-n结具有整流特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾修全	浙江大学硅材料国家重点实验室	5	6	2.0	2.0
2	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
3	何海平	浙江大学硅材料国家重点实验室	19	71	5.0	7.0
4	张银珠	浙江大学硅材料国家重点实验室	21	434	9.0	20.0
5	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
6	吕建国	浙江大学硅材料国家重点实验室	35	769	12.0	27.0