In1-xGaxN/Si异质结太阳能电池的光伏特性研究

• 作者: 董少光
• 来源期刊: 佛山科学技术学院学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳能电池 InGaN 光伏特性 光致发光
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 数理科学
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 3679字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-0171.2007.04.001

摘要

通过器件模拟对n-In1-xGaxN/p-Si异质结的光伏特性进行了研究,并与c-Si同质结薄膜电池的性能作了比较.研究表明:在AM1.5的光照条件下,n-IGN/p-Si异质结在最佳的电池设计、最佳的材料和最佳的操作参数条件下获得的电池效率达到了27%.电池效率受到薄膜质量的强烈影响,从电子亲和势、多数载流子的迁移率、少数载流子的寿命、薄膜厚度以及掺杂水平的变化可以得到说明.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董少光	佛山科学技术学院光电子与物理学系	24	34	3.0	5.0