掺硼a-Si:H薄膜脉冲快速光热退火(PRPTA)的研究

• 作者: 卢景霄 文书堂 杨仕娥 汪昌州 赵尚丽
• 来源期刊: 真空
• 学科: 物理学
• 关键词: 掺硼非晶硅薄膜 脉冲快速光热退火 固相晶化
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 28-31
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2449字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2007.03.008

摘要

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备掺硼非晶硅(a-Si∶H)薄膜,然后用脉冲快速光热退火(PRPTA) 法对其进行固相晶化.研究结果表明:掺硼a-Si∶H薄膜在550℃恒温条件下退火3 h后,其结晶状况无明显变化;而通过加高温热脉冲可以在玻璃衬底上获得晶化较好的P型多晶硅薄膜.另外,非晶硅薄膜的掺硼浓度及脉冲条件对脉冲快速光热退火的效果有一定影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨仕娥	郑州大学物理工程学院教育部材料物理重点实验室	68	513	12.0	18.0
2	卢景霄	郑州大学物理工程学院教育部材料物理重点实验室	100	570	12.0	17.0
3	汪昌州	郑州大学物理工程学院教育部材料物理重点实验室	3	34	2.0	3.0
4	文书堂	郑州大学物理工程学院教育部材料物理重点实验室	8	21	3.0	4.0
5	赵尚丽	郑州大学物理工程学院教育部材料物理重点实验室	2	2	1.0	1.0