高压PLDMOS器件的优化设计

• 作者: 肖金玉
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: PLDMOS 漂移区 沟道区 场极板
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 23-28
• 页数: 6页
• 分类号: TN3
• 字数: 3042字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2007.01.006

摘要

借助半导体专业软件Tsuprem-4和Medici详细研究了漂移区的长度、浓度以及结深,沟道区的长度、浓度,场极板的长度对高压PLDMOS击穿电压的影响.最终得到一组最佳的PLDMOS器件的参数.优化设计的高压PLDMOS器件的流片测试结果为:关态和开态击穿电压分别在200V和160V以上.