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摘要:
目的 观察大鼠单次全脑照射后脑内少突胶质谱系细胞的变化,以及新型自由基清除剂依达拉奉对少突胶质细胞放射性反应的影响.方法 将雄性SD大鼠120只随机分为假照射组、照射组、依达拉奉组.采用10 Gy单次全脑照射模型,制模后依达拉奉组大鼠分别按剂量0.3、1.0和3.0 mg/kg依达拉奉腹腔注射;构建放射性脑损伤大鼠脑组织芯片,用免疫组织化学法检测皮质A2B5、少突胶质细胞表面标志物4(O4)、2',3'-环磷核苷酸水解酶(CNPase)蛋白表达变化.结果 与假照射组比较,照射后1 d皮质A2B5阳性细胞数目即开始增多,照射后1周最多(P<0.01),1个月时差异无统计学意义;而O4与CNPase阳性细胞数在照射后1 d时显著减少,以O4阳性细胞数减少为甚(P<0.01),1周后差异无统计学意义.与照射组比较,依达拉奉干预后A2B5阳性细胞数有不同程度减少,O4、CNPase阳性细胞数有不同程度增加(1.0 mg/kg,P<0.05;3.0 mg/kg,P<0.01).结论 大鼠全脑照射后脑皮质少突胶质前体细胞反应性增多,呈时程性变化;一定剂量的依达拉奉对少突胶质细胞放射性反应有保护作用,呈现剂量依赖性.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 依达拉奉对少突胶质细胞放射性反应的保护作用研究
来源期刊 中华放射医学与防护杂志 学科 医学
关键词 少突胶质细胞 电离辐射 依达拉奉 组织芯片
年,卷(期) 2007,(4) 所属期刊栏目 基础研究
研究方向 页码范围 328-331
页数 4页 分类号 R9
字数 2813字 语种 中文
DOI 10.3760/cma.j.issn.0254-5098.2007.04.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 包仕尧 苏州大学附属第二医院神经科 254 2208 23.0 35.0
2 田野 苏州大学附属第二医院肿瘤放疗科 174 771 13.0 18.0
3 张志琳 苏州大学附属第二医院神经科 66 525 12.0 21.0
4 鲍欢 苏州大学附属第二医院神经科 11 102 6.0 10.0
5 陈应柱 12 23 4.0 4.0
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节点文献
少突胶质细胞
电离辐射
依达拉奉
组织芯片
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
中华放射医学与防护杂志
月刊
0254-5098
11-2271/R
16开
北京市德外新康街2号
18-93
1981
chi
出版文献量(篇)
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4
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24490
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