SiC单晶生长及其晶片加工技术的进展

• 作者: 姜守振 宁丽娜 徐现刚 李娟 王继杨 王英民 胡小波 蒋民华 陈秀芳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 升华法 SiC 模拟 温场 金刚石线切割 化学机械抛光
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 技术进展
• 页码范围: 810-814
• 页数: 5页
• 分类号: O771
• 字数: 2582字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.05.035

摘要

回顾了SiC单晶的发展历史,总结了目前的发展状况,同时介绍了SiC单晶生长所需要的温场和生长工艺,最后介绍了SiC单晶的加工技术.通过模拟计算与具体实验相结合的方法,调整坩埚在系统中的位置及优化坩埚设计可以得到理想温场.近平微凸的温场有利于晶体小面的扩展,进而有利于减少缺陷提高晶体的质量.由于SiC硬度非常高,对单晶后续的加工造成很多困难,包括切割和磨抛.研究发现利用金刚石线锯切割大尺寸SiC晶体,可以得到低翘曲度、低表面粗糙度的晶片;采用化学机械抛光法,可以有效地去除SiC表面的划痕和研磨引入的加工变质层,加工后的SiC晶片粗糙度可小于1nm.