外电场作用下SiO电子结构特性研究

• 作者: 刘玉芳 孙金锋 张现周 徐国亮 朱正和
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiO 外电场 激发
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 5704-5708
• 页数: 5页
• 分类号: O56
• 字数: 3093字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.10.025

摘要

在得到SiO分子基态稳定构型的基础上,选用B3P86/6-311++g(d,p)方法优化得到了不同外电场(-0.03-0.03 a.u.)下SiO分子基态的稳定电子结构,研究了外电场对SiO分子基态键长、能量、电荷分布、能级分布,能隙及红外光谱的影响规律.结果表明,分子结构与电场呈现强烈的依赖关系,且对电场的方向依赖呈现出不对称性.同时在正向外电场逐渐增大的过程中,SiO分子能隙始终处于减小趋势,占据轨道的电子易于激发至空轨道,因而为研究材料的电致发光机理奠定了一定的理论基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱正和	四川大学原子与分子物理研究所	291	1519	18.0	24.0
2	刘玉芳	河南师范大学物理与信息工程学院	156	576	11.0	17.0
3	孙金锋	河南师范大学物理与信息工程学院	108	436	12.0	17.0
4	张现周	河南师范大学物理与信息工程学院	73	229	8.0	12.0
5	徐国亮	河南师范大学物理与信息工程学院	29	135	6.0	10.0