深亚微米nMOSFET器件的总剂量电离辐射效应

• 作者: 唐瑜 孟志琴 朱志炜 李永坤 郝跃 马晓华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: X射线 辐射 总剂量效应 关态泄漏电流
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 241-245
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 3444字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.02.020

摘要

选取了采用0.25μm工艺的两组器件进行研究.通过对这两种器件关态泄漏电流、跨导和栅电流等电学参数进行分析,得出当器件发展到深亚微米阶段时,影响其辐射效应的主要原因是场氧化层中的陷阱电荷.并对相关机理进行了分析和仿真验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	马晓华	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	40	140	7.0	8.0
3	唐瑜	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	3	19	3.0	3.0
4	孟志琴	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	3	19	3.0	3.0
5	朱志炜	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	19	96	5.0	8.0