一种改进的BiCMOS工艺欠压锁存电路的设计

• 作者: 刘力军 周密 唐宏震 李攀 王瑾 田泽
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 欠压锁存 带隙基准 滞回区间 BiCMOS
• 年，卷（期）: 2007,（24）
• 所属期刊栏目: 数字/模拟电路
• 页码范围: 182-184
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2007.24.064

摘要

针对DC-DC电源管理芯片中所必需的欠压锁存功能,利用带隙基准电压源的原理,提出一种新的改进的UV-LO(欠压锁存)电路的设计,实现了欠压锁存的阈值点和迟滞量,成功地实现了欠压锁存电路的预定功能.基于0.6μm BiCMOS工艺,HSpice软件仿真的结果表明所设计的UVLO电路具有结构简单、温度漂移小、功耗低等特点,性能有很大改善,满足了芯片的需要.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田泽	西北大学信息科学与技术学院	28	261	10.0	15.0
2	王瑾	西北大学信息科学与技术学院	9	40	4.0	6.0
3	李攀	西北大学信息科学与技术学院	7	49	5.0	7.0
4	周密	西北大学信息科学与技术学院	3	68	3.0	3.0
5	刘力军	西北大学信息科学与技术学院	1	13	1.0	1.0
6	唐宏震	西北大学信息科学与技术学院	2	13	1.0	2.0