基于无线功率放大器应用的多指结构SiGe HBT

• 作者: 余金中 姚飞 成步文 时文华 王启明 王红杰 薛春来
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT 高频 双台面工艺 多指结
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 496-499
• 页数: 4页
• 分类号: TN323
• 字数: 686字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.04.005

摘要

采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的5个单元、10个发射极指大面积的SiGe HBT.器件表现出了良好的直流和高频特性,最大电流增益β为214.BVCEO为9V,集电极掺杂浓度为1×1017 cm-3,厚度为400nm时,BVCBO为16V.在直流偏置下IC=30mA,VCE=3.0V得到fT和fmax分别为18.0GHz和19.3GHz,1GHz下最大稳定增益为24.5dB,单端功率增益为26.6dB.器件采用了新颖的分单元结构,在大电流下没有明显的增益塌陷现象和热效应出现.