InP同质外延的不稳定生长:小丘的形成

• 作者: 刘如彬 姚江宏 孙甲明 李丹 林耀望 王占国 皮彪 舒强 蔡莹 贾国治 邢晓东
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 固态源分子束外延 原子力显微镜 InP 表面形貌
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 263-266,259
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.02.005

摘要

用原子力显微镜研究了在不同的条件下采用固态磷源分子束外延技术生长的InP同质外延薄膜的表面形貌.在样品的表面观察到不稳定三维岛状生长.其主要原因有两种,第一种是生长温度较低时,由于吸附原子受到附加的ES台阶边垒的阻碍作用,使扩散运动不能向台阶下面运动,而在台阶上面形成小丘,第二种是生长温度较高或Ⅴ/Ⅲ较低时,因生长中缺磷造成In的堆积而产生.在合适的生长条件下,可获得了光滑的2D层状生长.