Ge50Sn50有序合金压力下电子性质的计算机模拟

• 作者: 刘日平 吕梦雅 陈洲文
• 来源期刊: 燕山大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 Ge50Sn50有序合金 压力系数 带隙
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 198-200
• 页数: 3页
• 分类号: O571
• 字数: 1774字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-791X.2007.03.003

摘要

使用第一性原理和赝势方法研究了Ge50Sn50有序合金直到9 GPa压力下的能带结构和带隙的压力依赖性.发现该合金的直接带隙随着压力的增大几乎是线性增加,在4.7 GPa时达到最大值0.72 eV;在该压力下发生直接带隙至间接带隙的转变,其导带在4.7GPa~8 GPa时与Ge类似,在高于6.8 GPa压力时与Si类似.同时还研究了自旋轨道耦合作用对合金能带结构的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕梦雅	燕山大学亚稳材料科学与技术国家重点实验室	67	394	10.0	16.0
5	陈洲文	燕山大学亚稳材料科学与技术国家重点实验室	4	8	1.0	2.0
6	刘日平	燕山大学亚稳材料科学与技术国家重点实验室	43	246	10.0	14.0