晶片直接键合所需表面粗糙度条件

• 作者: 史铁林 廖广兰 汤自荣 马子文
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 直接键合 微观粗糙度 JKR接触理论
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 465-469
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 3076字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.03.028

摘要

根据JKR接触理论,推导出晶片直接键合时晶片接触表面粗糙度需要满足的条件,其中晶片接触表面粗糙度的描述是基于缝隙长度和缝隙高度的正弦波模型.分析结果表明,晶片直接键合的条件与无量纲参数α有关.以硅片键合为例,根据参数α可以把硅片键合分为三种类型:硅片直接键合(α＞1.065);在外压力作用下键合(0.57＜α＜1.065)和有空洞产生的键合(α＜0.57).实验数据与理论结果吻合得很好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史铁林	华中科技大学机械科学与工程学院武汉光电国家实验室	192	2245	25.0	38.0
2	马子文	华中科技大学机械科学与工程学院武汉光电国家实验室	4	26	3.0	4.0
3	汤自荣	华中科技大学机械科学与工程学院武汉光电国家实验室	7	31	3.0	5.0
4	廖广兰	华中科技大学机械科学与工程学院武汉光电国家实验室	64	654	12.0	24.0