斜位电流注入磁共振电阻抗成像(MREIT)与硬件设计

• 作者: 巩玉香 杨文晖 王慧贤 王玉宇
• 来源期刊: 波谱学杂志
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁共振电阻抗成像 硬件设计 斜位电流注入
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 183-189
• 页数: 7页
• 分类号: O482.53
• 字数: 2602字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-4556.2007.02.010

摘要

现有的磁共振电阻抗成像(MREIT)方法只适用于主磁场平行水平面的磁共振系统,本文中提出了一种新的MREIT方法即斜位电流注入磁共振电阻抗成像,同时适用于主磁场垂直于水平面的磁共振系统.硬件系统以磁共振主控计算机为控制中心,将MRI与EIT有机结合于一体:(1)能够测量注入电流在成像体内部感应磁场的磁感应强度B(z,y,z);(2)向成像体注入电流;(3)满足时序匹配要求;(4)测量边界电压.文章还展示了利用此装置所得的初步实验结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨文晖	中国科学院电工研究所生物工程部	24	77	5.0	7.0
2	王慧贤	中国科学院电工研究所生物工程部	21	117	5.0	10.0