磁控溅射Ge/Si多层膜的发光特性研究

• 作者: 孔令德 宋超 杨宇
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 物理学
• 关键词: Ge/Si多层膜 量子限域效应 光致发光 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 67-70
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3158字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.02.002

摘要

采用磁控溅射技术,在Si(100)衬底上制备了一系列不同周期、不同Ge层厚度的Ge/Si多层膜样品.用室温光致发光(PL)、Raman散射和AFM图谱对样品进行表征.结果表明:Ge/Si多层膜中的PL发光峰主要来自于Ge晶粒,并且Ge晶粒生长的均匀性对PL发光影响较大,生长均匀的Ge晶粒中量子限域效应明显,随着晶粒的减小,PL发光主峰发生蓝移;在Ge晶粒均匀性较差时,PL发光峰强度较弱,量子限域效应不明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇	云南大学材料科学与工程系	101	377	9.0	12.0
2	孔令德	云南大学材料科学与工程系	4	18	3.0	4.0
3	宋超	云南大学材料科学与工程系	5	15	2.0	3.0