加热去氩处理工艺对离子束混合沉积的C-SiC涂层阻氢性能的影响

• 作者: 任丁 张东 张瑞谦 曾俊辉 杜良 黄宁康
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: C-SiC涂层 离子束混合沉积 阻氢 扫描电镜 二次离子质谱
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 反应堆工程
• 页码范围: 586-590
• 页数: 5页
• 分类号: TL93
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2007.05.016

摘要

利用Ar+离子束混合技术在不锈钢基体上沉积C-SiC涂层,然后对部分样品进行加热去氩处理(400 ℃,30 min),再用5 keV氢离子源辐照样品.通过扫描电镜(SEM)的表面形貌观察、二次离子质谱仪(SIMS)的H与Ar元素深度分布和正离子质谱分析,研究去氩处理对氢离子辐照的C-SiC涂层的形貌和阻氢性能的影响.结果表明,经去氩处理,样品中不锈钢基体内的氢浓度降低了80%,显示出去氩处理的C-SiC涂层具有更高的阻氢性能.研究结果将为该技术应用于不锈钢基体上C-SiC涂层制备工艺的进一步改善提供依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜良	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	14	61	4.0	7.0
2	曾俊辉	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	15	58	3.0	7.0
3	黄宁康		5	11	2.0	3.0
4	任丁		1	2	1.0	1.0
5	张瑞谦		1	2	1.0	1.0