InGaN量子阱的微观特性

• 作者: 康俊勇 李书平 林伟
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InGaN 量子阱 VASP 能带结构
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 99-103
• 页数: 5页
• 分类号: O471.5|O472.3
• 字数: 444字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2007.01.020

摘要

采用VASP程序包摸拟计算InGaN量子阱的能带,精细展示了量子阱实空间能带结构.计算结果表明,In原子所在区域出现局域束缚态,导带底与价带顶的简并能级发生分裂,同时量子阱沿垂直结面方向存在分立的能级.此外,针对影响能带的In组分波动、能带弯曲等问题进行探讨,以准确描述其电子行为,从而深入系统地了解InGaN/GaN量子阱的电学光学等特性.