某单晶硅辐照系统辐射防护评价

• 作者: 张一云 张之华 徐显启 谷振军
• 来源期刊: 辐射防护通讯
• 关键词: 单晶硅辐照 活化活度 屏蔽 周围剂量当量
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 研究通报
• 页码范围: 8-11
• 页数: 4页
• 分类号: TL8
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-6356.2007.03.002

摘要

单晶硅经反应堆中子场辐照后,具有了活化放射性,在单晶硅转运出反应堆及暂存过程中对操作人员构成外照射危害.本文根据某反应堆单晶硅辐照系统技术参数,计算了辐照后样品的活化活度,以及操作人员所在处的周围剂量当量水平,并提出了优化辐照工艺流程和操作的建议.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张一云	四川大学物理科学与技术学院	40	376	11.0	18.0
2	张之华	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	29	85	4.0	8.0
3	徐显启	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	25	63	5.0	6.0
4	谷振军	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	3	5	2.0	2.0