量子自旋霍尔效应——半导体的新状态

• 来源期刊: 集成电路通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体性能 霍尔效应 量子自旋 状态 美国斯坦福大学 能量损耗 发热量 外磁场
• 年，卷（期）: jcdltx_2007,（4）
• 页码范围: 46
• 页数: 1页
• 分类号: TN304.2

摘要

据（SST—AP—NMD）2007年第5期报道，美国斯坦福大学的研究小组宣布发现了一种物质的新状态，具有“特别的”半导体性能，包括更低的能量损耗和更少的发热量。研究小组表示不施加外磁场也可以获得被称为“量子自旋霍尔效应”的新状态。