Ag-TCNQ分形生长现象研究

• 作者: 孙大林 徐华华 方方 曹冠英 陈国荣
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 物理电子学 分形生长 分形维数 Ag-TCNQ
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 97-100
• 页数: 4页
• 分类号: O48
• 字数: 1473字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2007.02.003

摘要

利用溶液化学反应法,在Ag-TCNQ过饱和度较大的条件下,发现了Ag-TCNQ的分形生长现象.研究表明,Ag膜厚度和与溶液反应的时间对样品的形貌有影响.Ag 膜薄生成的样品稀疏,分形维数小;反之样品致密,分形维数大.反应完全时样品最致密,分形维数最大.SEM研究表明,这些分形生长主要是堆垛分形,分支堆积有序,表现出材料良好的自组织性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方方	复旦大学材料科学系	16	74	6.0	8.0
2	徐华华	复旦大学化学系	12	45	4.0	6.0
3	孙大林	复旦大学材料科学系	28	224	9.0	14.0
4	陈国荣	复旦大学材料科学系	35	270	10.0	14.0
5	曹冠英	复旦大学材料科学系	7	22	2.0	4.0