低温沉积硅薄膜微结构的Raman分析

• 作者: 卢景霄 张丽伟 李红菊 杨根 赵剑涛 郭学军
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: Raman 硅薄膜 微结构
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 58-59,67
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.05
• 字数: 1618字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2007.01.016

摘要

用Raman散射谱研究了以SiH4/H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,低温制备的一系列硅薄膜的微结构特征.结果表明:在常规气压和常规功率下,衬底温度在200～500 ℃之间,存在结晶最佳点,400 ℃结晶效果相对最好;在高压高功率下沉积和常压常功率下沉积相比,高压高功率更有利于薄膜晶化;低温短时的高气压高功率沉积,玻璃衬底与铝覆盖的玻璃衬底相比,玻璃上的硅薄膜晶粒尺寸更大,而铝覆盖的玻璃衬底上的硅薄膜的晶化率更高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张丽伟	郑州大学材料物理教育部重点实验室	17	90	7.0	9.0
5	赵剑涛	郑州大学材料物理教育部重点实验室	12	64	5.0	7.0
6	卢景霄	郑州大学材料物理教育部重点实验室	100	570	12.0	17.0
7	杨根	郑州大学材料物理教育部重点实验室	7	39	4.0	6.0
8	李红菊	郑州大学材料物理教育部重点实验室	7	32	3.0	5.0
9	郭学军	郑州大学材料物理教育部重点实验室	9	41	5.0	6.0