室温连续激射1.59μm GaInNAsSb量子阱激光器

• 作者: 倪海桥 吴荣汉 张石勇 徐应强 杜云 牛智川 赵欢 韩勤
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 快速热退火 量子阱
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 486-488
• 页数: 3页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1488字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.124

摘要

研究了原位和非原位退火对分子束外延生长的GaInNAsSb/GaNAs/GaAs量子阱激光器的作用.通过快速热退火量子阱质量得到很大提高,这一方法还很少被应用于激光器的制作,特别是波长在1.55μm波段的激光器.生长量子阱时采用的生长速率、Sb诱导等,将量子阱激光器发光波长拓展到1.59μm,并制作了脊型波导FP腔GaInNAsSb单阱激光器,成功实现了室温连续激射,激射波长达到1.59μm,阈值电流为2.6kA/cm2.