Cu(In1-xGax)Se2薄膜太阳电池的J-V特性

• 作者: 乔在祥 何炜瑜 孙云 敖建平 李长健 王兴磊
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Cu(In1-xGax)Se2 太阳电池 并联电阻 晶界势垒 弱光
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1941-1944
• 页数: 4页
• 分类号: TM914.4+2
• 字数: 2932字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.12.016

摘要

对Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)太阳电池J-V特性曲线进行了测试和分析,采用Matlab软件进行计算,得到电池的二极管品质因子、反向饱和电流密度、串联电阻、并联电阻等特性参数.采用数值逼近法,将得到的参数回归J-V方程,与测试结果符合较好.对不同光照强度下电池的特性参数进行计算,发现并联电阻随光照强度增加而降低,并分析了原因.