半导体RSD开关预充电路设计与研究

• 作者: 何小平 徐燕 汤俊萍 王海洋
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体 开关 晶闸管 触发/反向导通型双晶复合晶体管
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 装置与应用
• 页码范围: 35-37
• 页数: 3页
• 分类号: TN344
• 字数: 2284字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2007.02.013

摘要

利用快速晶闸管设计了一种可用于触发大电流半导体开关的反向导通型双晶复合晶体管(Reversely Switching Dynistor,简称RSD)电路.重点介绍了RSD预充电路参数选择和触发脉冲产生电路的设计,解决了预充电路和主回路RSD开关开通后各电气参数的配合问题.实验结果表明,当预充电路的工作电压约为800 V时,RSD开关的预充峰值电流约为600 A,脉冲宽度约为2 μs,流过RSD开关的脉冲峰值电流可达5.3 kA,脉冲宽度约为10 μs.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王海洋		19	132	7.0	10.0
2	何小平		20	170	8.0	12.0
3	汤俊萍		22	142	8.0	10.0
4	徐燕		2	18	2.0	2.0