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摘要:
以SnCl4·5H2O和SbCl3为主要原料,采用化学共沉淀法制得了纳米级的高导电性能的锑掺杂二氧化锡(ATO)超细粉体.研究了制备工艺对ATO粉体粒径和导电性能的影响,并探讨其影响机理,得到最佳工艺参数.运用热重-差热(TG-DTA)、X-射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)等测试方法对ATO粉体进行表征,并将试验产品与国内市场的同类产品性能进行了对比.
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文献信息
篇名 锑掺杂二氧化锡纳米粉体的制备及性能
来源期刊 化学工业与工程 学科 工学
关键词 导电粉体 共沉淀法 ATO 纳米材料
年,卷(期) 2007,(4) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 309-313
页数 5页 分类号 TN304.2+1
字数 3459字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-9533.2007.04.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 孙淑清 天津大学理学院 16 107 6.0 10.0
2 李婷 天津大学理学院 15 61 4.0 7.0
3 范军刚 天津大学理学院 2 30 2.0 2.0
4 马向辉 天津大学理学院 5 53 4.0 5.0
5 孟杰 天津大学理学院 4 28 1.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
导电粉体
共沉淀法
ATO
纳米材料
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
化学工业与工程
双月刊
1004-9533
12-1102/TQ
16开
天津大学化工学院
18-156
1984
chi
出版文献量(篇)
2082
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9
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18479
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