低压UDMOSFET结构设计

• 作者: 唐宁 张志鹏 石广源
• 来源期刊: 辽宁大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 品质因数 密勒效应 UDMOSFET
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 97-100
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 字数: 2363字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2007.02.001

摘要

对低压UDMOSFET的结构设计提出了要以提高品质因数为指向的思想,分析了对其产生影响的一些相关因素,如特征电阻和击穿电压之间的平衡,寄生电容的设计考虑,以及在满足上述条件下的面积优化.最后对20V/10A条件下UDMOSFET的结构设计给出了详细的推导和计算.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石广源	辽宁大学物理系	39	119	6.0	8.0
2	唐宁	辽宁大学物理系	1	7	1.0	1.0
3	张志鹏	辽宁大学物理系	1	7	1.0	1.0