物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征

• 作者: 李晋闽 董志远 赵有文 魏学成
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlN 物理气相传输法 缺陷
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 204-208
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3216字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.02.012

摘要

利用物理气相传输法生长了直径40～50 mm、厚约8～10 mm的AlN多晶锭,最大晶粒尺寸为5 mm.用喇曼散射和阴极荧光谱研究了AlN晶体的结晶质量、缺陷和结构特性.分析了不同温度下AlN晶体的导电特性,并确定在AlN晶体中存在一个激活能约为0.98eV的深能级缺陷.结合这些结果分析了PVT法生长条件对AlN体单晶生长和晶体质量的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晋闽	中国科学院半导体研究所	75	652	13.0	23.0
2	赵有文	中国科学院半导体研究所	42	217	7.0	11.0
3	董志远	中国科学院半导体研究所	25	154	7.0	11.0
4	魏学成	中国科学院半导体研究所	8	83	5.0	8.0