纳/微米ZnO同质结器件的制备及电子学特性研究

• 作者: 张威 曹璐 李梦轲 魏强
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO同质结 器件 电子学特性
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 985-988,1003
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.21|TN31
• 字数: 3157字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.11.003

摘要

用低压化学气相沉积法制备了T形和V形纳/微米ZnO同质结,用扫描电子显微镜(SEM)和高倍光学成像显微镜观察了同质结的结构与生长形貌,分析了其结构及生长机理.利用ZnO同质结组装成了纳/微米ZnO同质结器件,分析研究了这些器件的I-V特性,并对I-V特性变化规律进行了分析讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李梦轲	辽宁师范大学物理与电子技术学院	20	105	6.0	10.0
2	张威	辽宁师范大学物理与电子技术学院	69	601	14.0	21.0
3	魏强	辽宁师范大学物理与电子技术学院	3	19	3.0	3.0
4	曹璐	辽宁师范大学物理与电子技术学院	3	19	3.0	3.0