AlN薄膜覆Al基板的物理特性

• 作者: 刘文 彭文达 李华平 柴广跃 牛憨笨
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 AlN薄膜 LED封装 有限元法
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 54-56
• 页数: 3页
• 分类号: TB43
• 字数: 2483字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2007.10.016

摘要

利用磁控溅射系统在6061铝材上制备了3 μm的AlN薄膜.XRD、椭偏测试及耐压测试结果表明,AlN膜为具有良好取向的多晶薄膜,击穿电压高达100 V/μm.利用自动划痕仪对AlN膜进行剥离实验,临界载荷为6 N左右.AlN和铝基体间的结合主要是物理吸附和机械锚合.用有限元方法对基于AlN膜/Al热沉的LED(发光二极管)封装结构的散热性能进行了分析,模型的内通道热阻约2 K/W.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛憨笨	深圳大学光电子学研究所	71	772	13.0	25.0
2	彭文达	深圳大学光电子学研究所	22	277	8.0	16.0
3	柴广跃	深圳大学光电子学研究所	24	139	5.0	11.0
4	刘文	深圳大学光电子学研究所	29	73	5.0	7.0