4H-SiC功率MESFET直流I-V特性解析模型

• 作者: 国云川 延波 徐跃杭 徐锐敏 王磊
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC MESFET I-V特性 解析模型
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 2583字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2007.01.001

摘要

提出了一种改进的4H-SiC MESFET大信号直流解析模型.该模型基于栅极下面电荷的二维分布进行分析,在考虑电场相关迁移率、速度饱和及沟道内电荷堆积的基础上,计入沟道长度调制效应,建立基于物理的沟道长度调制效应模型.计算结果表明,计入沟道长度调制效应后的直流模型在饱和区与实测的I-V特性较为吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王磊	电子科技大学微波工程系	51	356	8.0	16.0
2	徐跃杭	电子科技大学微波工程系	10	41	4.0	5.0
3	国云川	电子科技大学微波工程系	5	20	3.0	4.0
4	徐锐敏	电子科技大学微波工程系	30	327	10.0	17.0
5	延波	电子科技大学微波工程系	16	164	8.0	12.0