NiCr薄膜电阻TCR的影响因素

• 作者: 李丙旺
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: TCR 真空度 溅射速率 基片温度
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 18-20
• 页数: 3页
• 分类号: TP211+.5
• 字数: 2050字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2007.01.004

摘要

影响NiCr薄膜电阻TCR的因素很多,我们分别从溅射淀积工艺和热处理工艺来研究和探讨NiCr薄膜电阻TCR与溅射时的真空度、溅射速率、基片温度、薄膜厚度及热处理温度和时间等因素的关系,从而为提高NiCr薄膜电阻的稳定性和降低其TCR值提供有益的条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李丙旺		9	51	4.0	7.0