Co掺杂对Zn1-xCoxO稀磁半导体光学性质的影响

• 作者: 卢宇 张志城 赖发春 郑勇平 黄志南 黄志高
• 来源期刊: 福建师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 稀磁半导体 ZnO 溶胶-凝胶法 透射光谱 禁带宽度
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 页码范围: 50-53
• 页数: 4页
• 分类号: O482.3
• 字数: 2223字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5277.2007.05.012

摘要

溶胶-凝胶法制备了Co掺杂的ZnO基稀磁半导体,研究其粉体和薄膜的结构和光学特性.X射线衍射结果表明Co2+随机替代Zn2+位置进入ZnO晶格,并引起晶格常数的变化.紫外-可见透射光谱表明样品的禁带宽度随着Co掺杂浓度的增大呈现非单调变化规律,低浓度掺杂样品的光学带隙随掺杂浓度增大而减小(红移),这是由于Co2+替代Zn2+,局域d电子与能带电子之间的sp-d交换耦合引起的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢宇	福建师范大学物理与光电信息科技学院	45	245	9.0	13.0
2	郑勇平	福建师范大学物理与光电信息科技学院	12	22	3.0	4.0
3	黄志高	福建师范大学物理与光电信息科技学院	108	292	9.0	13.0
4	赖发春	福建师范大学物理与光电信息科技学院	37	216	8.0	13.0
5	张志城	福建师范大学物理与光电信息科技学院	4	45	3.0	4.0
6	黄志南	福建师范大学物理与光电信息科技学院	1	8	1.0	1.0