PHEMT欧姆接触的双源共蒸技术

• 作者: 耿涛 贾洁 郑华 黄念宁
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs PHEMT 欧姆接触 双源共蒸
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 35-38
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 2874字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2007.11.009

摘要

近年来,砷化镓器件的发展极为迅速.其中,欧姆接触的制作是器件研制的关键工艺之一.为了提高GaAs PHEMT器件欧姆接触的性能和可靠性水平,文章比较了三种常见的GaAs PHEMT器件欧姆接触制备技术的差异,分别是:分层蒸发、溅射+蒸发、双源共蒸.通过传输线模型(TLM)法测试数据以及微细形貌分析,得出双源共蒸工艺制备的欧姆接触的电阻率和均匀性综合特性最佳,因此认为双源共蒸技术在大尺寸GaAs PHEMT圆片工艺中具有最优的综合特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄念宁		13	32	4.0	5.0
2	耿涛		4	16	2.0	4.0
3	郑华		3	5	2.0	2.0
4	贾洁		3	3	1.0	1.0