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摘要:
基于95%氧化铝陶瓷开展锰铬体掺杂改性,掺杂后陶瓷样品的表面二次电子发射系数明显减小,表面电阻率显著降低,从而使其具有更高的表面绝缘能力(真空中).针对锰铬体掺杂陶瓷样品开展了金属化试验,结果表明:通过对金属化膏剂配方和工艺的适当调整,体掺杂陶瓷的金属化效果良好,气密性和机械强度均满足使用要求.
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文献信息
篇名 锰铬体掺杂氧化铝陶瓷及其金属化
来源期刊 真空电子技术 学科 工学
关键词 氧化铝陶瓷 体掺杂 表面性能 金属化
年,卷(期) 2007,(1) 所属期刊栏目 工艺与应用
研究方向 页码范围 47-50
页数 4页 分类号 TB756
字数 2210字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1002-8935.2007.01.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 曾敏 12 80 4.0 8.0
2 雷杨俊 15 65 4.0 7.0
3 游小凤 5 13 2.0 3.0
4 赵鑫 1 4 1.0 1.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
氧化铝陶瓷
体掺杂
表面性能
金属化
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
真空电子技术
双月刊
1002-8935
11-2485/TN
大16开
北京749信箱7分箱
1959
chi
出版文献量(篇)
2372
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7
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8712
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