磁控反应溅射制备的SnO2多晶薄膜及其特性

• 作者: 冯良桓 姚菲菲 张静全 李卫 武莉莉 蔡亚平 蔡伟 郑家贵 陈卫东 雷智 黎兵
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: SnO2 透明高阻膜 磁控反应溅射
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 367-369,374
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.21
• 字数: 2233字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2007.03.018

摘要

采用反应磁控溅射制备了高阻SnO2薄膜.利用X射线衍射、透射光谱、霍尔效应、暗电导温度关系等方法研究了退火对薄膜的结构、光学和电学性质的影响.发现在510℃退火1h后,SnO2薄膜从非晶态转变为四方相结构的多晶薄膜,光能隙在3.79 eV和3.92 eV之间,电阻率为8.5Ω·cm,电导激活能约为0.322 eV.研究结果表明,此方法制备的SnO2高阻膜适合作为过渡层应用于CdTe太阳电池中.