AlGaN/GaN HEMT器件小信号等效电路参数值的提取

• 作者: 刘丹 刘新宇 和致经 李诚瞻 罗卫军 陈晓娟
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMT 小信号等效电路 参数提取
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 411-413
• 页数: 3页
• 分类号: TN386
• 字数: 1461字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.105

摘要

利用国际通用的ColdFET以及宽带小信号提取方法对AlGaN/GaN HEMT器件进行小信号参数的提取,用仿真软件ADS(advanced design system)建立HEMT小信号等效电路模型,并对参数值进行优化.可快速提取器件的小信号参数并给予工艺一些反馈和指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	和致经	中国科学院微电子研究所	36	229	9.0	13.0
3	刘丹	中国科学院微电子研究所	52	328	10.0	15.0
4	陈晓娟	中国科学院微电子研究所	26	185	9.0	12.0
5	李诚瞻	中国科学院微电子研究所	12	49	4.0	6.0
6	罗卫军	中国科学院微电子研究所	17	35	4.0	5.0