全方位离子注入与沉积技术及其工业机的研制

• 作者: 汤宝寅 王小峰 王浪平
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 全方位离子注入与沉积 工业机 功能
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 页码范围: 983-986
• 页数: 4页
• 分类号: TG172.4
• 字数: 1796字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2007.12.006

摘要

全方位离子注入与沉积(Plasma immersion ion implantation and deposition,PⅢD)技术发展到现在,已经逐步走向工业化应用.本文介绍了全方位离子注入与沉积技术的原理,探讨了全方位离子注入与沉积工业机应该具备的功能,介绍了研制成功的全方位离子注入与沉积设备的结构和实施效果,其脉冲阴极弧等离子体源沉积速率达到2.9(A)/s,IGBT固体开关调制器输出电压达到10kV,能够一次处理多个工业零件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王浪平	哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室	42	276	9.0	14.0
2	王小峰	哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室	35	258	9.0	14.0
3	汤宝寅	哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室	29	231	9.0	13.0