低相位噪声压控振荡器设计

• 作者: 文华峰 曾健平 谢海情 贺勇
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 压控振荡器 相位噪声 电感电容滤波 互补MOS
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与开发
• 页码范围: 992-994
• 页数: 3页
• 分类号: TN752
• 字数: 2187字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.11.019

摘要

分析了LC压控振荡器(VCO)相位噪声,通过改进电路结构,采用PMOS和NMOS管做负阻管,在尾电流源处加入电感电容滤波,优化电感设计,设计了一种高性能压控振荡器.采用TSMC 0.18 μm IP6M CMOS RF工艺,利用Cadence中的Spectre RF工具对电路进行仿真.在电路的偏置电流为6 mA、电源电压VDD=1.8 V时,输入控制电压为0.8～1.8 V,输出频率变化为1.29～1.51 GHz,调谐范围为12.9%,相位噪声为-134.4 dBc/Hz@1MHz,功耗仅为10.8 mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢海情	湖南大学物理与微电子科学学院	20	113	6.0	9.0
2	曾健平	湖南大学物理与微电子科学学院	90	672	12.0	22.0
3	贺勇	长沙理工大学电气与信息工程学院	14	56	5.0	6.0
4	文华峰	湖南大学物理与微电子科学学院	1	4	1.0	1.0