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摘要:
采用扫描电镜及X射线能谱仪对覆膜阴极的离子斑进行了分析.分析表明,阴极离子斑中心部分的贵金属覆膜(Os膜)已被完全溅射掉;离子斑周边覆膜仍保留一部分,但Ba和O的含量极低.进一步分析表明,离子轰击不仅使离子斑区域贵金属膜受损,同时使该区域Ba-O键的含量大幅度降低,从而导致该区域及整个阴极的发射出现明显下降.
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文献信息
篇名 M型阴极离子斑扫描电镜分析
来源期刊 真空电子技术 学科 工学
关键词 M型阴极 离子轰击 扫描电镜
年,卷(期) 2007,(3) 所属期刊栏目 工艺与应用
研究方向 页码范围 60-62
页数 3页 分类号 TN108|TN12
字数 2410字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1002-8935.2007.03.015
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张永清 中国科学院电子学研究所微波器件中心 32 207 8.0 14.0
2 阴生毅 中国科学院电子学研究所微波器件中心 18 101 6.0 9.0
3 张洪来 中国科学院电子学研究所微波器件中心 10 89 5.0 9.0
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研究主题发展历程
节点文献
M型阴极
离子轰击
扫描电镜
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
真空电子技术
双月刊
1002-8935
11-2485/TN
大16开
北京749信箱7分箱
1959
chi
出版文献量(篇)
2372
总下载数(次)
7
总被引数(次)
8712
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