蓝宝石衬底上HVPE-GaN厚膜生长

• 作者: 曾一平 李晋闽 段瑞飞 王军喜 马平 魏同波
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: HVPE GaN 蓝宝石衬底
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 902-908
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2894字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.06.017

摘要

采用氢化物气相外延(HVPE)方法,以蓝宝石作衬底,分别在MOCVD-GaN模板和蓝宝石衬底上直接外延生长GaN.模板上的GaN生长表面平整、光亮,但开裂严重.其(0002)的双晶衍射半高宽最低为141″;蓝宝石衬底上直接生长GaN外延层质量较差,其双晶衍射半高宽为1688″,但不发生开裂.HCl的载气流量对预反应有很大的影响.应力产生于外延层和衬底之间的界面处,界面孔洞的存在可以释放应力,减少开裂.光致发光(PL)谱中氧杂质引起强黄光发射.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晋闽	中国科学院半导体研究所	75	652	13.0	23.0
2	曾一平	中国科学院半导体研究所	85	439	11.0	16.0
3	段瑞飞	中国科学院半导体研究所	8	34	4.0	5.0
4	马平	中国科学院半导体研究所	45	544	12.0	21.0
5	王军喜	中国科学院半导体研究所	32	155	8.0	10.0
6	魏同波	中国科学院半导体研究所	13	254	7.0	13.0