PDSOI nMOSFETs关态击穿特性

• 作者: 毕津顺 海潮和
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 部分耗尽绝缘体上硅 击穿 背栅沟道注入
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 14-18
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 1091字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.01.004

摘要

分别采用不同的背栅沟道注入剂量制成了部分耗尽绝缘体上硅浮体和H型栅体接触n型沟道器件.对这些器件的关态击穿特性进行了研究.当背栅沟道注入剂量从1.0×1013增加到1.3×1013cm-2,浮体n型沟道器件关态击穿电压由5.2升高到6.7V,而H型栅体接触n型沟道器件关态击穿电压从11.9降低到9V.通过测量寄生双极晶体管静态增益和漏体pn结击穿电压,对部分耗尽绝缘体上硅浮体和H型栅体接触n型沟道器件的击穿特性进行了定性解释和分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	毕津顺	中国科学院微电子研究所	37	78	5.0	6.0