垂直腔面发射激光器中的新结构研究

• 作者: 冯源 刘文莉 张永明 赵英杰 郝永芹 钟景昌
• 来源期刊: 兵工学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光学 半导体激光器 氧化物限制 量子阱 垂直腔面发射激光器
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 167-169
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.5
• 字数: 1466字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-1093.2007.02.009

摘要

通过对垂直腔面发射激光器(VCSEL)台面结构的深入研究,提出了新型环形分布孔结构,并制作了这种新结构器件.测试结果表明这种新结构器件不仅表现了良好的工作特性,而且输出功率也提高到环形沟槽结构的1.34倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟景昌	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	20	129	7.0	10.0
2	郝永芹	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	28	87	5.0	8.0
3	赵英杰	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	21	148	7.0	11.0
4	张永明	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	22	28	2.0	5.0
5	冯源	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	17	48	4.0	6.0
6	刘文莉	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	7	41	5.0	6.0